Thuis Producten Zenerdiode

de Diode BZX79C2V4 van 0.5W Zener door de ONDERDOMPELING van BZX79C75 -35 door Pakket

Alle producten

Thermistordiode (17)

DIAC Trekkerdiode (13)

De Diode van de algemeen Doelgelijkrichter (25)

Zenerdiode (31)

Diode van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs de Voorbijgaande (10)

hoogspanningsdiode (11)

SIDAC-Diode (10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter (17)

de ultrasnelle diode van de terugwinningsgelijkrichter (10)

de diode van de hoog rendementgelijkrichter (10)

de diode van de hoge snelheidsomschakeling (23)

Barrière Schottky Diode (39)

kleine signaal schottky diode (16)

De gelijkrichter van de diodebrug (22)

NTC-Thermistor (16)

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

de Diode BZX79C2V4 van 0.5W Zener door de ONDERDOMPELING van BZX79C75 -35 door Pakket

Grote Afbeelding : de Diode BZX79C2V4 van 0.5W Zener door de ONDERDOMPELING van BZX79C75 -35 door Pakket

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	XUYANG
Certificering:	ISO9001
Modelnummer:	BZX79C2V4- BZX79C75

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	5000pcs
Prijs:	negotiation
Verpakking Details:	band in doos, 5000pcs/box
Levertijd:	5-7 werkdagen
Betalingscondities:	T / T, Western Union
Levering vermogen:	500000pcs per momth

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

onderdeelnummer:	BZX79C2V4 - BZX79C75	macht:	0.5W
spanning:	2.4-75V	Pakket:	-35
Loodvrije Status:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ overzees	SPQ:	5000pcs
Hoog licht:	diode zener 12v , dioda zener smd

de Diode BZX79C2V4 van 0.5W Zener door de ONDERDOMPELING van BZX79C75 -35 door Pakket

De Zenerdioden worden wijd gebruikt als voltageverwijzingen en als shuntregelgevers om te regelen

voltage over kleine kringen. Wanneer zo verbonden parallel met een veranderlijke voltagebron

dat het omgekeerde beïnvloed is, leidt een Zener-diode wanneer het voltage het omgekeerde van de diode bereikt

analysevoltage. Vanaf dat moment, overdwars houdt de lage impedantie van de diode het voltage

de diode bij die waarde.

Eigenschappen

Hoge betrouwbaarheid

Bouw

Silicium epitaxial vlak

Absolute Maximumclassificaties

Tj=25℃

Parameter	Beproevingsomstandigheden	Type	Symbool	Waarde	Eenheid
Machtsdissipatie	I=4mm T_L≤25℃		Pv	500	mw
Z-stroom			Iz	Pv/Vz	mA
Verbindingstemperatuur			Tj	175	℃
De waaier van de opslagtemperatuur			Tstg	-65~+175	℃

Maximum Thermische Weerstand

Parameter	Beproevingsomstandigheden	Symbool	Waarde	Eenheid
Omringende verbinding	I=4mm T_L=constant	RthJA	350	K/W

Elektrokenmerken

Tj=25℃

Parameter	Beproevingsomstandigheden	Type	Symbool	Min	Type	Maximum	Eenheid
Voorwaarts voltage	I_F=200mA		V_F			1.5	V

Type	Vznom	I_ZT voor V_ZT en r_zjT			r_zjTbij I_ZK		I_R EN I_R BIJ V_R			TK_VZ
BZX79C	V	mA	V¹⁾	Ω	Ω	mA	μA	μA²⁾	V	%/K
2V4	2.4	5	2.28~2.56	<85	<600	1	<50	<100	1	-0.09~-0.06
2V7	2.7	5	2.5~2.9	<85	<600	1	<10	<50	1	-0.09~-0.06
3V0	3.0	5	2.8~3.2	<85	<600	1	<4	<40	1	-0.08~-0.05
3V3	3.3	5	3.1~3.5	<85	<600	1	<2	<40	1	-0.08~-0.05
3V6	3.6	5	3.4~3.8	<85	<600	1	<2	<40	1	-0.08~-0.05
3V9	3.9	5	3.7~4.1	<85	<600	1	<2	<40	1	-0.08~-0.05
4V3	4.3	5	4.0~3.6	<75	<600	1	<1	<20	1	-0.06~-0.03
4V7	4.7	5	4.4~5.0	<60	<600	1	<0.5	<10	1	0.05~+0.02
5V1	5.1	5	4.8~5.4	<35	<550	1	<0.1	<2	1	0.02~+0.02
5V6	5.6	5	5.2~6.0	<25	<450	1	<0.1	<2	1	0.05~+0.05
6V2	6.2	5	5.8~6.6	<10	<200	1	<0.1	<2	2	0.03~0.06
6V8	6.8	5	6.4~7.2	<8	<150	1	<0.1	<2	3	0.03~0.07
7V5	7.5	5	7.0~7.9	<7	<50	1	<0.1	<2	5	0.03~0.07
8V2	8.2	5	7.7~8.7	<7	<50	1	<0.1	<2	6.2	0.03~0.08
9V1	9.1	5	8.5~9.6	<10	<50	1	<0.1	<2	6.8	0.03~0.09
10	10	5	7.7~8.7	<15	<70	1	<0.1	<2	6.2	0.03~0.1
11	11	5	10.4~11.6	<20	<70	1	<0.1	<2	8.2	0.03~0.11
12	12	5	11.4~12.7	<20	<90	1	<0.1	<2	9.1	0.03~0.011
13	13	5	12.4~14.1	<26	<110	1	<0.1	<2	10	0.03~0.011
15	15	5	13.8~15.6	<30	<110	1	<0.1	<2	11	0.03~0.011
16	16	5	15.3~17.1	<40	<170	1	<0.1	<2	12	0.03~0.011
18	18	5	16.8~19.1	<50	<170	1	<0.1	<2	13	0.03~0.011
20	20	5	18.8~21.2	<55	<220	1	<0.1	<2	15	0.03~0.011
22	22	5	20.8~23.3	<55	<220	1	<0.1	<2	16	0.04~0.012
24	24	5	22.8~25.6	<80	<220	1	<0.1	<2	18	0.04~0.012
27	27	5	25.1~28.9	<80	<220	1	<0.1	<2	20	0.04~0.012
30	30	5	28~32	<80	<220	1	<0.1	<2	22	0.04~0.012
33	33	5	31~35	<80	<220	1	<0.1	<2	24	0.04~0.012
36	36	5	34~38	<80	<220	1	<0.1	<2	27	0.04~0.012
39	39	2.5	37~41	<90	<500	0,5	<0.1	<5	30	0.04~0.012
43	43	2.5	40~46	<90	<600	0,5	<0.1	<5	33	0.04~0.012
47	47	2.5	44~50	<110	<700	0,5	<0.1	<5	36	0.04~0.012
51	51	2.5	48~54	<125	<700	0,5	<0.1	<10	36	0.04~0.012
56	56	2.5	52~60	<135	<1000	0,5	<0.1	<10	39	0.04~0.012
62	62	2.5	58~66	<150	<1000	0,5	<0.1	<10	43	0.04~0.012
68	68	2.5	64~72	<200	<1000	0,5	<0.1	<10	51	0.04~0.012
75	75	2.5	70~79	<250	<1000	0,5	<0.1	<10	56	0.04~0.012

1) Strakker tolerantie beschikbaar verzoek:
BZX79B… ±2% van V Znom
BZX79F… ±3% van V Znom
2) bij Iz=2.0mA

Grootte

de Diode BZX79C2V4 van 0.5W Zener door de ONDERDOMPELING van BZX79C75 -35 door Pakket 0

Wat kan u van XUYANG?

De beste dienst: met 10 jaar zal de ervaring in uitvoerend verkooppersoneel u onderhouden.

Hoog - kwaliteit: hulp u vermijden kopend risico.

Korte levering: hulp u om tijd te besparen.

Concurrerende prijs: de prijs is niet de laagste maar met de hoogste kosten prestaties

OEM/ODM: wij zijn zeker wij u kunnen ontmoeten OEM/ODm-vereisten.

label:

Contactpersoon: Bixia Wu

Andere Producten

Zode-123 BZT52C2V4-BZT52C43-de Oppervlakte zet Diode op

Artikelnummer: BZT52C2V4-BZT52C43
Macht: 200mW
Voltage: 2.4-43V
Pakket: Zode-123

3W de Diode van de de Machts3ez Reeks van het ONDERDOMPELINGSsilicium

Artikelnummer: 3EZ3.9D5 - 3EZ200D5
Macht: 3W
Voltage: 3.9-200V
COMPUTER-AIDED SOFTWARE ENGINEERING: -41

Zode-323 de Diode van BZT52C2V4S-BZT52C43S 12v Smd Zener

Artikelnummer: BZT52C2V4S-BZT52C43S
Macht: 200mW
Voltage: 2.4-43V
Pakket: Zode-323

500mW ZODE -123 Diode BZT52C2V4-BZT52C43 van de 1206 Pakket de Snelle Terugwinning

Artikelnummer: BZT52C2V4-BZT52C43
Macht: 500mW
Voltage: 2.4-43V
Pakket: Zode-123

3W de oppervlakte zet de Diode 1SMB5913BT3G van Siliciumzener door 1SMB5956BT3G met 3,3 - 200 Volt op

Artikelnummer: 1SMB5913BT3G door 1SMB5956BT3G
Macht: 3 watts
Voltage: 3.3-200V
Pakket: SMB/DO-214AA