Huis
Producten
Ongeveer ons
Fabrieksreis
Kwaliteitscontrole
Contacteer ons
Vraag een offerte aan
nieuws
Thuis ProductenZenerdiode

De oppervlakte zet de Diode BZV55C2V4-BZV55C75 van Siliciumzener met Hoge Betrouwbaarheid op

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaten
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

De oppervlakte zet de Diode BZV55C2V4-BZV55C75 van Siliciumzener met Hoge Betrouwbaarheid op

Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability
Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability

Grote Afbeelding :  De oppervlakte zet de Diode BZV55C2V4-BZV55C75 van Siliciumzener met Hoge Betrouwbaarheid op

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: XUYANG
Certificering: ISO9001/RoHS
Modelnummer: BZV55C2V4 - BZV55C75

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 2500pcs
Prijs: negotiation
Verpakking Details: band in spoel, 2500pcs/reel
Levertijd: 5-7 werkdagen
Betalingscondities: T / T, Western Union
Levering vermogen: 500000pcs per momth
Gedetailleerde productomschrijving
onderdeelnummer: BZV55C2V4 - BZV55C75 spanning: 2.4-75V
macht: 500mW Pakket: Zode-80/ll-34
Bedrijfstemperatuur: -65°C ~ 200°C Langs het verschepen: DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ overzees
Hoog licht:

surface mount diode

,

dioda zener smd

De oppervlakte zet Diode 0,5 Watts 2,4 van Siliciumzener door 75 Volts van ± op 5% de Tolerantiebzv55c2v4 door BZV55C75

 

BESCHRIJVING:
BZV55C2V4 aan BZV55C75V-Reeksoppervlakte zet de Diode van Siliciumzener is op een hoogte - kwaliteit,

goed geconstrueerde, hoogst betrouwbare component die voor gebruik in allerlei industrieel commercieel wordt ontworpen,

vermaak, computer, en automobieltoepassingen.

 

 

Absolute Maximumclassificaties

Tj=25℃

Parameter Beproevingsomstandigheden Symbool Waarde Eenheid
Het gemiddelde door:sturen Stroom   IO 200 mA
Piek Herhaalde Voorwaartse Stroom   IFRM 250 mA
Machtsdissipatie Tamb ≤75℃ PD 500 mw

Het werken en Opslagtemperatuurwaaier

Verbindingstemperatuur

  TJ, TSTG -65~+200

 

Elektrokenmerken

(TA=25°C), VF=0.9V MAXIMUM @ IF=10mA VOOR ALLE TYPES.

Type

Nr.

De Waaier van het Zenervoltage

VZ @ IZT

Teststroom

Maximumzener

Impedantie

Maximumomgekeerde

Huidig

Maximum

Zenerstroom

IZT

ZZT @ IZT
  1.  
IR @ VR

IZM

Nom (v) Min (v) Maximum (v)

mA

Ω

Ω mA

μA

Volts

mA

BZV55C2V4

2.4

2,280

2,520

5.0

100

600

1.0

50

1.0

208

BZV55C2V7

2.7

2,565

2,835

5.0

100

600 1.0

20

1.0

185
BZV55C3V0

3.0

2,850

3,150

5.0

95

600 1.0

10

1.0

167

BZV55C3V3

3.3

3,135

3,465

5.0

95

600 1.0

5.0

1.0

152

BZV55C3V6

3.6

3,420

3,780

5.0

90

600 1.0

5.0

1.0

139

BZV55C3V9

3.9

3,705

4,095

5.0 90 600 1.0

3.0

1.0

128

BZV55C4V3

4.3

4,085

4,515

5.0 90 600 1.0

3.0

1.0

116

BZV55C4V7

4.7

4,465

4,935

5.0

80

500

1.0

3.0

2.0

106

BZV55C5V1

5.1

4,845

5,355

5.0

60

480

1.0

2.0

2.0

96

BZV55C5V6

5.6

5,320

5,880

5.0

40

400

1.0

1.0

2.0

89

BZV55C6V2

6.2

5,890

6,510

5.0

10

150

1.0

3.0

4.0

81

BZV55C6V8

6.8

6,460

7,140

5.0

15

80 1.0

2.0

4.0

74

BZV55C7V5

7.5

7,125

7,875

5.0 15 80 1.0

1.0

5.0

67

BZV55C8V2

8.2

7,790

8,610

5.0 15 80 1.0

0,7

5.0

61

BZV55C9V1

9.1

8,645

9,555

5.0 15

100

1.0

0,5

6.0

55

BZV55C10

10

9,500

10.50

5.0

20

150 1.0

0,1

7.0

50

BZV55C11

11

10.45

11.55

5.0

20

150 1.0

0,1

8.0

45

BZV55C12

12

11.40

12.60

5.0

25

150 1.0

0,1

8.0

42

BZV55C13

13

12.35

13.65

5.0

30

170

1.0

0,1

8.0

38

BZV55C15

15

14.25

15.75

5.0

30

200

1.0

0,05

10.5

33

BZV55C16

16

15.20

16.80

5.0

40

200

1.0 0,05

11.2

31

BZV55C18

18

17.10

18.90

5.0

45

225

1.0 0,05

12.6

28

BZV55C20

20

19.00

21.00

5.0

55

225

1.0 0,05

14.0

25

BZV55C22

22

20.90

23.10

5.0

55

250

1.0 0,05

15.4

23

BZV55C24

24

22.80

25.20

5.0

70

250

1.0 0,05

16.8

21

BZV55C27

27

25.65

28.35

2.0

80

300

0,5 0,05

18.9

19

BZV55C30

30

28.50

31.50

2.0 80

300

0,5 0,05

21.0

17

BZV55C33

33

31.35

34.65

2.0 80

325

0,5 0,05

23.1

15

BZV55C36

36

34.20

37.80

2.0

90

350

0,5 0,05

25.2

14

BZV55C39

39

37.05

40.95

2.0

130

350

0,5 0,05

27.3

13

BZV55C43

43

40.85

45.15

2.0

150

375

0,5 0,05

30.1

12

BZV55C47

47

44.65

49.35

2.0

170

375

0,5 0,05

32.9

11

BZV55C51

51

48.45

53.55

2.0

180

400

0,5 0,05

35.7

9.9

BZV55C56

56

53.20

58.80

2.0

200

425

0,5 0,05

39.2

8.9

BZV55C62

62

58.90

65.10

2.0

215

450

0,5 0,05

43.4

8.0

BZV55C68

68

64.60

71.40

2.0

240

475

0,5 0,05

47.6

7.4

BZV55C75

75

71.25

78.75

2.0

255

500

0,5 0,05

52.5

6.7

 

Grootte

De oppervlakte zet de Diode BZV55C2V4-BZV55C75 van Siliciumzener met Hoge Betrouwbaarheid op 0

Wat kan wij u van XUYANG?

De beste dienst: met 10 jaar zal de ervaring in uitvoerend verkooppersoneel u onderhouden.

Hoog - kwaliteit: hulp u vermijden kopend risico.

Korte levering: hulp u om tijd te besparen.

Concurrerende prijs: de prijs is niet de laagste maar met de hoogste kosten prestaties

OEM/ODM: wij zijn zeker wij u kunnen ontmoeten OEM/ODm-vereisten.

Contactgegevens
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Contactpersoon: Bixia Wu

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)