Thuis Producten Thermistordiode

2 van de de Gelijkrichterthermistor van X 5A Schottky de Diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

Alle producten

Thermistordiode (17)

DIAC Trekkerdiode (13)

De Diode van de algemeen Doelgelijkrichter (25)

Zenerdiode (31)

Diode van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs de Voorbijgaande (10)

hoogspanningsdiode (11)

SIDAC-Diode (10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter (17)

de ultrasnelle diode van de terugwinningsgelijkrichter (10)

de diode van de hoog rendementgelijkrichter (10)

de diode van de hoge snelheidsomschakeling (23)

Barrière Schottky Diode (39)

kleine signaal schottky diode (16)

De gelijkrichter van de diodebrug (22)

NTC-Thermistor (16)

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

2 van de de Gelijkrichterthermistor van X 5A Schottky de Diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

Grote Afbeelding : 2 van de de Gelijkrichterthermistor van X 5A Schottky de Diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	XUYANG
Certificering:	ISO9001/RoHS
Modelnummer:	10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1000pcs
Prijs:	negotiation
Verpakking Details:	massa in bar
Levertijd:	15 - 20 het werkdagen
Betalingscondities:	T / T, Western Union
Levering vermogen:	100000pcs per 1 week

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

naam:	Schottky diode	onderdeelnummer:	10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF
Als:	2 x 5A	spanning:	150V
Pakket:	D2PAK/AAN-262	Verbindingstemperatuur:	-55-175°C
Hoog licht:	silicon rectifier diode , silicon zener diode

10A Schottky-MOSFET van de Gelijkrichterdiode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF Gebiedseffect Transistor

EIGENSCHAPPEN

• 175 °C TJ verrichting
• De configuratie van de centrumkraan
• Lage voorwaartse voltagedaling
• Hoge frequentieverrichting
• Hoge zuiverheid, epoxyinkapseling op hoge temperatuur voor verbeterde mechanische sterkte en

vochtbestendigheid
• Wachtring voor verbeterde ruwheid en betrouwbaarheid op lange termijn
• Lood (vrij Pb) - (het achtervoegsel van „PbF“)
• Ontworpen en gekwalificeerd voor industrieel niveau

BELANGRIJKE CLASSIFICATIES EN KENMERKEN
SYMBOOL	KENMERKEN	WAARDEN	EENHEDEN
ALS (AV)	Rechthoekige golfvorm	10	A
VRRM		150	V
IFSM	tp = sinus 5 μs	620	A
VF	5 Apk, TJ = 125 °C (per been)	0,73	V
TJ	Waaier	- 55 tot 175	°C

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties
PARAMETER	SYMBOOL	BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN		WAARDEN	EENHEDEN
Maximumgemiddelde per been voorwaartse stroom per apparaat	ALS (AV)	50% plichtscyclus bij TC = 155 °C, rechthoekige golfvorm		5	A
				10
Maximum piek stroom van de cyclus non-repetitive schommeling per been	IFSM	5 μs sinus of 3 μs rect. impuls	Na om het even welke geschatte lading voorwaarde en met geschat Toegepaste VRRM	620	A
		10 Mej.sinus of Mej. 6 rect. impuls		115
Non-repetitive lawineenergie per been	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 10 MH		5	mJ
Herhaalde lawinestroom per been	IAR	Stroom die lineair aan nul in 1 μs rotten Frequentie die door maximum TJ wordt beperkt VA = typische 1,5 x VR		1	A

ELEKTROspecificaties
PARAMETER	SYMBOOL	BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN		WAARDEN	EENHEDEN
Maximum voorwaartse voltagedaling per been	VFM⁽¹⁾	5 A	TJ = 25 °C	0,93	V
		10 A	TJ = 25 °C	1.10
		5 A	TJ = 125 °C	0,73
		10 A	TJ = 125 °C	0,86
Maximum omgekeerde lekkagestroom per been	IRM⁽¹⁾	TJ = 25 °C	VR = Geschatte VR	0,05	mA
Maximum omgekeerde lekkagestroom per been	IRM⁽¹⁾	TJ = 125 °C	VR = Geschatte VR	7	mA
Drempelvoltage	VF (AAN)	TJ = TJ-maximum		0,468	V
Voorwaartse hellingsweerstand	rechts	TJ = TJ-maximum		28	mΩ
Maximumverbindingscapacitieve weerstand per been	CT	VR = 5 VDC (waaier 100 van het testsignaal kHz aan 1 Mhz) 25 °C		200	pF
Typische reeks inductantie per been	LS	Gemeten leid tot lood 5 mm van pakketlichaam		8.0	nH
Maximumvoltagetarief van verandering	dV/dt	Geschatte VR		10 000	V/μs

PARAMETER		SYMBOOL	BEPROEVINGSOMSTANDIGHEDEN	WAARDEN
Maximumverbinding en opslagtemperatuurwaaier		TJ, TStg		- 55 tot 175
Maximum thermische weerstand, verbinding aan geval per been		RthJC	Gelijkstroom-verrichting	3.50
Maximum thermische weerstand, verbinding aan geval per pakket				1.75
Typische thermische weerstand, geval aan heatsink (slechts voor aan-220)		RthCS	Opzettende oppervlakte, vlot en ingevet	0,50
Benaderend gewicht				2
Benaderend gewicht				0,07
Opzettende torsie	minimum			6 (5)
	maximum			12 (10)
Het merken van apparaat			Gevalstijl D2PAK	10CTQ150S
			Gevalstijl aan-262	10ctq150-1

Grootte:

2 van de de Gelijkrichterthermistor van X 5A Schottky de Diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF 0

2 van de de Gelijkrichterthermistor van X 5A Schottky de Diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF 1

Wat kan u van XUYANG?

De beste dienst: met 10 jaar zal de ervaring in uitvoerend verkooppersoneel u onderhouden.

Hoog - kwaliteit: hulp u vermijden kopend risico.

Korte levering: hulp u om tijd te besparen.

Concurrerende prijs: de prijs is niet de laagste maar met de hoogste kosten prestaties

OEM/ODM: wij zijn zeker wij u kunnen ontmoeten OEM/ODm-vereisten.

label:

Contactpersoon: Bixia Wu

Andere Producten

De oppervlakte zet Thermistordiode, de Diode 1SMB5913BT3G van Siliciumzener op - 1SMB5956BT3G

onderdeelnummer: 1SMB5913BT3G - 1SMB5956BT3G
macht: 3w
spanning: 3.3-200V
Zaak: SMB/-214AA

35V snelle Omschakelingsdiode, de Diode1ss265 ISO9001 Certificaat van de ONDERDOMPELINGShalfgeleidende diode

naam: Halfgeleidende diodediode
onderdeelnummer: 1SS265
VR: 35V
Pakket: -34

de Diode Smd van 2.4-75V 0.5W ZMM5221B-ZMM5267B Zener

Artikelnummer: ZMM5221B-ZMM5267B
Macht: 0.5W
Voltage: 2.4-75V
Pakket: Zode-80

0.5W de kleine Oppervlakte zet Zener-Diode op Bewarend Ruimtebzm55c2v0 - BZM55C75

onderdeelnummer: BZM55C2V0 - BZM55C75
spanning: 2.0-75V
macht: 0.5W
Tolerantie: ±5%

1N4001G-1N4007G de Diode van de gelijkrichterthermistor met Hoog Huidig Vermogen

Naam van het product: 1N4001G-1N4007G
Huidige: 1A
spanning: 50-1000V
Pakket: -41