De Oppervlakte van BAS86 50V zet Schottky-de Elektronische Componenten van de Barrièrediode op

Alle producten

Thermistordiode (17)

DIAC Trekkerdiode (13)

De Diode van de algemeen Doelgelijkrichter (25)

Zenerdiode (31)

Diode van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs de Voorbijgaande (10)

hoogspanningsdiode (11)

SIDAC-Diode (10)

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter (17)

de ultrasnelle diode van de terugwinningsgelijkrichter (10)

de diode van de hoog rendementgelijkrichter (10)

de diode van de hoge snelheidsomschakeling (23)

Barrière Schottky Diode (39)

kleine signaal schottky diode (16)

De gelijkrichter van de diodebrug (22)

NTC-Thermistor (16)

Ik ben online Chatten Nu

Name: De Oppervlakte van BAS86 50V zet Schottky-de Elektronische Componenten van de Barrièrediode op
Brand: XUYANG
SKU: BAS86

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

onderdeelnummer:	BAS86	VR:	50V
Pakket:	Zode-80C	De herhaalde piek door:sturen stroom:	500mA
Voorwaartse Stroom:	200mA	Type:	Barrière Schottky Diode
Hoog licht:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Opbouw Schottky barrièrediodes BAS86 50V elektronische componenten

Kenmerken

1. Geïntegreerde beschermingsring tegen statische ontlading

2. Zeer lage voorwaartse spanning

toepassingen:

Toepassingen waar een zeer lage voorwaartse spanning vereist is

Absolute maximale beoordelingen

Tj = 25 ℃

Parameter	Test voorwaarden	Symbool	Waarde	Eenheid
Omgekeerde spanning		VR	50	V
Piek voorwaartse piekstroom	tp = 10 ms	IFSM	5	EEN
Repetitieve piek voorwaartse stroom	tp≤1s	IFRM	500	mA
Voorwaartse stroming		ALS	200	mA
Gemiddelde voorwaartse stroom		IFAV	200	mA
Junction temperatuur		Tj	125	℃
Temperatuurbereik opslag		Tstg	-65 ~ +150	℃
Junction ambient	op printplaat 50 mm x 50 mm x 1,6 mm	RthJA	320	K / W

Elektrische kenmerken
Tj = 25 ° C

Parameter	Symbool	Test voorwaarden	min	Typ	Max	Eenheid
Omgekeerde doorslagspanning	V (BR) R	IR = 10ìA (gepulseerd)	30			V
Lekstroom	IR	VR = 25V		0.2	2	uA
Voorwaartse spanning	VF	Pulstest tp <300μs ALS = 0,1 mA ALS = 1 mA ALS = 10 mA ALS = 30 mA ALS = 100 mA		0.5	0.24 0.32 0.4 0.8	V
Capaciteit	CTOT	VR = 1 V, f = 1 MHz			10	pF
Omgekeerde hersteltijd	TRR	ALS = 10 mA, IR = 10 mA IR = 1 mA			5	NS